SiC Wafer Boat
Silicon carbide wafer boatis in load-bearing apparaat foar wafels, benammen brûkt yn sinne- en semiconductor diffusion prosessen. It hat skaaimerken lykas wear ferset, corrosie ferset, hege-temperatuer ynfloed ferset, wjerstân tsjin plasma bombardemint, hege temperatuer draacht kapasiteit, hege termyske conductivity, hege waarmte dissipation, en lange-termyn gebrûk dat is net maklik te bûgen en ferfoarmjen. Us bedriuw brûkt silisiumkarbidmateriaal mei hege suverens om de libbensdoer te garandearjen en leveret oanpaste ûntwerpen, ynklusyf. ferskate fertikale en horizontalewafer boat.
SiC Paddle
Desilisium carbid cantilever paddlewurdt benammen brûkt yn de (diffusjonele) coating fan silisium wafels, dat spilet in krúsjale rol by it laden en ferfier fan silisium wafels op hege temperatuer. It is in wichtige komponint fansemiconductor waferladen systemen en hat de folgjende haadeigenskippen:
1. It ferfoarmet net yn hege temperatueromjouwings en hat in hege laden krêft op 'e wafels;
2. It is resistint foar ekstreme kjeld en flugge waarmte, en hat in lange libbensdoer;
3. De termyske útwreidingskoëffisjint is lyts, it útwreidzjen fan it ûnderhâld en skjinmeitsjen fan 'e syklus sterk, en ferminderet fersmoarging signifikant.
SiC Furnace Tube
Silicon carbide proses tube, makke fan hege suverens SiC sûnder metallyske ûnreinheden, fersmoarget de wafel net, en is geskikt foar prosessen lykas semiconductor en fotovoltaïske diffusion, annealing en oksidaasjeproses.
SiC Robot Arm
SiC robotarm, ek wol bekend as wafer transfer end effector, is in robotyske earm dy't brûkt wurdt om semiconductor wafers te ferfieren en wurdt in protte brûkt yn 'e semiconductor, opto-elektroanyske en sinne-enerzjy yndustry. Mei help fan hege suverens silisium carbid, mei hege hurdens, wear ferset, seismysk ferset, lange-termyn gebrûk sûnder deformaasje, lange libbensdoer, ensfh, kin leverje oanpaste tsjinsten.
Grafyt foar kristalgroei
Graphite waarmte shield
Grafyt elektrodes buis
Graphite deflector
Grafyt chuck
Alle prosessen brûkt foar it groeien fan semiconductor crvstals operearje yn hege temperatuer en corrosive omjouwings. De hite sône fan 'e kristalgroeiofen wurdt normaal eguinned mei waarmte-resistint en corrosie-resistant hege suverens. grafyt komponinten, lykas grafyt kachels, kroezen, silinders, deflector, chucks, buizen, ringen, holders, nuten, ensfh Us klear produkt kin berikke in ash ynhâld minder dan 5ppm.
Grafyt foar Semidonductor Epitaksy
Graphite Base
Grafyt Epitaxial Barrel
Monocry Stalline Silicon Epitaxial Base
MOCVD Graphite Parts
Semiconductor Graphite Fixture
Epitaksiaal proses ferwiist nei de groei fan ien kristal materiaal op ien kristal substraat mei deselde lattice arrangement as it substraat. It fereasket in protte ultra-hege suverens grafyt dielen en grafyt basis mei SIC coating. De hege suverens grafyt brûkt foar semiconductor epitaksy hat in breed skala oan tapassings, dat kin oerien mei meast brûkte apparatuer yn 'e yndustry, Tagelyk, it hat ekstreem hege. suverens, unifoarme coating, poerbêst servicelibben, en ekstreem hege gemyske ferset en termyske stabiliteit.
Isolaasje materiaal en oare
Thermal isolaasje materialen brûkt yn semiconductor produksje binne grafyt hurd fielde, sêft filt, grafyt folie, koalstof gearstalde materialen, ensfh Us grûnstoffen binne ymportearre grafyt materialen, dat kin wurde snije neffens de spesifikaasje fan klanten, en kin ek ferkocht wurde as in hiel. Koalstof gearstalde materiaal wurdt meastentiids brûkt as drager foar sinne monocrystal en polysilisium sel produksje proses.