Semicera leveret spesjalisearre tantaalkarbid (TaC) coatings foar ferskate komponinten en dragers.Semicera liedend coating proses stelt tantaal carbid (TaC) coatings te berikken hege suverens, hege temperatuer stabiliteit en hege gemyske tolerânsje, ferbetterjen produkt kwaliteit fan SIC / GAN kristallen en EPI lagen (Graphite coated TaC susceptor), en it ferlingjen fan it libben fan wichtige reaktorkomponinten. It brûken fan tantaal carbide TaC coating is te lossen de râne probleem en ferbetterjen fan de kwaliteit fan kristal groei, en Semicera hat trochbraak oplost de tantaal carbid coating technology (CVD), it berikken fan de ynternasjonale avansearre nivo.
Nei jierren fan ûntwikkeling, Semicera hat ferovere de technology fanCVD TaCmei de mienskiplike ynspannings fan de R&D ôfdieling. Defekten binne maklik te foarkommen yn it groeiproses fan SiC-wafels, mar nei gebrûkTaC, it ferskil is signifikant. Hjirûnder is in ferliking fan wafels mei en sûnder TaC, lykas Semicera 'dielen foar groei fan ien kristal
mei en sûnder TaC
Nei it brûken fan TaC (rjochts)
Derneist is de libbensdoer fan Semicera's TaC-coatingprodukten langer en mear resistint foar hege temperatueren dan dy fan SiC-coating. Nei in lange tiid fan laboratoariummjittingsgegevens kin ús TaC lang wurkje op in maksimum fan 2300 graden Celsius. De folgjende binne guon fan ús foarbylden:
(a) Skematyske diagram fan SiC ienkristal ingot groeiende apparaat troch PVT metoade (b) Top TaC coated sied beugel (ynklusyf SiC sied) (c) TAC-coated grafyt guide ring
