SiC Coated Graphite Base Susceptors foar MOCVD

SiC Coated Graphite Base Susceptorsfoar MOCVD fan semicera binne ûntwurpen om útsûnderlike prestaasjes te leverjen yn epitaksiale groeiprosessen. De heechweardige silisiumcarbid-coating op 'e grafytbasis soarget foar stabiliteit, duorsumens en optimale thermyske konduktiviteit tidens MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) operaasjes. Troch de ynnovative susceptortechnology fan semicera te brûken, kinne jo ferbettere presyzje en effisjinsje berikke ynSi EpitaksyenSiC Epitaksyapplikaasjes.

DizzeMOCVD Susceptorsbinne ûntworpen om in berik fan essensjele semiconductor-komponinten te stypjen, lykasPSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, enRTP Carrier, wêrtroch't se alsidich binne foar ferskate ets- en epitaksiale taken. De ynset fan Semicera foar hege noarmen soarget derfoar dat dizze susceptors foldogge oan de strange easken fan moderne semiconductorproduksje.

Ideaal foar gebrûk ynLED EpitaxialSusceptor, Barrel Susceptor, en Monocrystalline Silicon prosessen, dizze susceptors kinne wurde oanpast foar ferskate wafergrutte, ynklusyf Pancake Susceptor konfiguraasjes. Se binne ek heul effektyf yn it behanneljen fan fotovoltaïske dielen, wêrtroch't se in krúsjale komponint binne yn 'e ûntwikkeling fan effisjinte sinnesellen.

Derneist binne SiC Coated Graphite Base Susceptors foar MOCVD optimalisearre foar GaN op SiC Epitaxy, en biede hege kompatibiliteit mei avansearre semiconductor materialen. Oft jo rjochte binne op it ferbetterjen fan opbringsten of it ferbetterjen fan de kwaliteit fan epitaksiale groei, semicera's susceptors leverje de betrouberens en prestaasjes dy't nedich binne foar súkses yn heechtechnyske yndustry.