Tantaalkarbid (TaC)is in super-hege temperatuer resistint keramyske materiaal mei de foardielen fan hege smeltpunt, hege hurdens, goede gemyske stabiliteit, sterke elektryske en termyske conductivity, ensfh Dêrom,TaC coatingkin brûkt wurde as ablaasje-resistinte coating, oksidaasje-resistant coating, en wear-resistant coating, en wurdt in soad brûkt yn aerospace termyske beskerming, tredde-generaasje semiconductor ien crystal groei, enerzjy elektroanika en oare fjilden.
Proses:
Tantaalkarbid (TaC)is in soarte fan ultra-hege temperatuer resistint keramyske materiaal mei de foardielen fan hege smeltpunt, hege hurdens, goede gemyske stabiliteit, sterke elektryske en termyske conductivity. Dêrom,TaC coatingkin brûkt wurde as ablaasje-resistinte coating, oksidaasje-resistant coating, en wear-resistant coating, en wurdt in soad brûkt yn aerospace termyske beskerming, tredde-generaasje semiconductor ien crystal groei, enerzjy elektroanika en oare fjilden.
Yntrinsike karakterisearring fan coatings:
Wy brûke de slurry-sinteringmetoade foar it tariedenTaC coatingfan ferskillende dikten op grafytsubstraten fan ferskate maten. Earst wurdt poeder mei hege suverens mei Ta-boarne en C-boarne konfigureare mei dispersant en bynmiddel om in unifoarme en stabile foarrinner slurry te foarmjen. Tagelyk, neffens de grutte fan grafyt dielen en de dikte easken fanTaC coating, de pre-coating wurdt taret troch spuiten, jitten, ynfiltraasje en oare foarmen. Uteinlik wurdt it ferwaarme oant boppe 2200 ℃ yn in fakuümomjouwing om in unifoarm, dichte, ienfaze en goed kristallyn te meitsjen.TaC coating.
Yntrinsike karakterisearring fan coatings:
De dikte fanTaC coatinggiet oer 10-50 μm, de kerrels groeie yn in frije oriïntaasje, en it is gearstald út TaC mei in ienfaze gesicht-sintraal kubike struktuer, sûnder oare ûnreinheden; de coating is ticht, de struktuer is kompleet, en de crystallinity is heech.TaC coatingkin folje de poarjes op it oerflak fan grafyt, en it is gemysk bûn oan de grafyt matrix mei hege bonding sterkte. De ferhâlding fan Ta oant C yn 'e coating is tichtby 1: 1. De GDMS-reinheidsdeteksjeferwizingsstandert ASTM F1593, de ûnreinenskonsintraasje is minder dan 121ppm. De aritmetyske gemiddelde ôfwiking (Ra) fan it coating profyl is 662nm.
Algemiene applikaasjes:
GaN enSiC epitaksiaalCVD-reaktorkomponinten, ynklusyf waferdragers, satellytskûtels, douchekoppen, topdeksels en susceptors.
SiC, GaN en AlN kristal groei komponinten, ynklusyf kroezen, sied crystal holders, flow gidsen en filters.
Yndustriële ûnderdielen, ynklusyf resistive ferwaarming eleminten, sproeiers, shielding ringen en brazing fixtures.
Key funksjes:
Hege temperatuerstabiliteit by 2600 ℃
Biedt steady-state beskerming yn hurde gemyske omjouwings fan H2, NH3, SiH4en Si damp
Geskikt foar massaproduksje mei koarte produksjesyklusen.
