China Wafer Manufacturers, Suppliers, Factory
Wat is de semiconductor wafer?
In semiconductor wafer is in tinne, rûne plak fan semiconductor materiaal dat tsjinnet as de basis foar de fabrikaazje fan yntegrearre circuits (ICs) en oare elektroanyske apparaten. De wafel soarget foar in flak en unifoarm oerflak wêrop ferskate elektroanyske komponinten binne boud.
It produsearjen fan wafers omfettet ferskate stappen, ynklusyf it groeien fan in grut ienkristal fan it winske semiconductormateriaal, it snijden fan it kristal yn tinne wafels mei in diamantzaag, en dan de wafels polijsten en skjinmeitsje om alle oerflakdefekten of ûnreinheden te ferwiderjen. De resultearjende wafels hawwe in heul plat en glêd oerflak, wat krúsjaal is foar de folgjende fabrikaazjeprosessen.
Sadree't de wafers binne taret, se ûndergeane in rige fan semiconductor manufacturing prosessen, lykas fotolithography, etsen, deposition, en doping, te meitsjen fan de yngewikkelde patroanen en lagen nedich foar it bouwen fan elektroanyske komponinten. Dizze prosessen wurde meardere kearen werhelle op ien wafel om meardere yntegreare circuits as oare apparaten te meitsjen.
Nei't it fabrikaazjeproses foltôge is, wurde de yndividuele chips skieden troch de wafel te snijen lâns foarôf definieare rigels. De skieden chips wurde dan ynpakt om se te beskermjen en elektryske ferbiningen te leverjen foar yntegraasje yn elektroanyske apparaten.
Ferskillende materialen op wafel
Semiconductor wafers wurde primêr makke fan single-crystal silisium fanwege syn oerfloed, treflike elektryske eigenskippen, en kompatibiliteit mei standert semiconductor manufacturing prosessen. Ofhinklik fan spesifike tapassingen en easken kinne oare materialen lykwols ek brûkt wurde om wafers te meitsjen. Hjir binne wat foarbylden:
Silicon carbide (SiC) is in breed bandgap semiconductor materiaal dat biedt superieure fysike eigenskippen yn ferliking mei tradisjonele materialen. It helpt de grutte en gewicht fan diskrete apparaten, modules, en sels hiele systemen te ferminderjen, wylst it effisjinsje ferbetterje.
Wichtige skaaimerken fan SiC:
- - Wide bandgap:De bandgap fan SiC is sawat trije kear dat fan silisium, wêrtroch it kin operearje by hegere temperatueren, oant 400 °C.
- - Heech kritysk ferdielingsfjild:SiC kin oant tsien kear it elektryske fjild fan silisium wjerstean, wêrtroch it ideaal is foar apparaten mei hege spanning.
- - Hege termyske konduktiviteit:SiC dissipearret waarmte effisjint, helpt apparaten optimale wurktemperatueren te behâlden en har libbensdoer te ferlingjen.
- - Hege saturaasje-elektrondriftsnelheid:Mei dûbel de driftsnelheid fan silisium makket SiC hegere skeakelfrekwinsjes mooglik, en helpt by apparaatminiaturisaasje.
Applikaasjes:
-
- Power Electronics:SiC-krêftapparaten blinke út yn omjouwings mei hege spanning, hege stroom, hege temperatuer en hege frekwinsje, wat de effisjinsje fan enerzjykonverzje signifikant ferbetterje. Se wurde in protte brûkt yn elektryske auto's, oplaadstasjons, fotovoltaïske systemen, spoarferfier, en tûke netten.
-
- Mikrogolfkommunikaasje:SiC-basearre GaN RF-apparaten binne krúsjaal foar draadloze kommunikaasje-ynfrastruktuer, foaral foar 5G-basisstasjons. Dizze apparaten kombinearje SiC's treflike termyske konduktiviteit mei GaN's hege frekwinsje, hege krêft RF-útfier, wêrtroch't se de foarkarskeuze binne foar de folgjende generaasje heechfrekwinsje telekomnetwurken.
Gallium nitride (GaN)is in tredde-generaasje breed bandgap semiconductor materiaal mei in grutte bandgap, hege termyske conductivity, hege elektron saturation drift snelheid, en poerbêste ôfbraak fjild skaaimerken. GaN-apparaten hawwe brede tapassingsperspektiven yn gebieten mei hege frekwinsje, hege snelheid en hege krêft, lykas LED-enerzjybesparjende ferljochting, laserprojeksje-displays, elektryske auto's, smart grids, en 5G-kommunikaasje.
Gallium arsenide (GaAs)is in semiconductor materiaal bekend om syn hege frekwinsje, hege elektron mobiliteit, hege macht útfier, lege lûd, en goede lineariteit. It wurdt in soad brûkt yn opto-elektroanika en mikro-elektroanika yndustry. Yn opto-elektroanika wurde GaAs-substraten brûkt om LED (ljocht-emittearjende diodes), LD (laserdiodes) en fotovoltaïske apparaten te meitsjen. Yn mikro-elektroanika wurde se brûkt yn 'e produksje fan MESFET's (metaal-semiconductor-fjildeffekttransistors), HEMT's (transistors mei hege elektroanenmobiliteit), HBT's (heterojunction bipolare transistors), IC's (yntegreare sirkwy), mikrogolfdiodes, en Hall-effektapparaten.
Indiumfosfide (InP)is ien fan de wichtige III-V gearstalde semiconductors, bekend om syn hege elektroanen mobiliteit, poerbêst strieling ferset, en brede bandgap. It wurdt in protte brûkt yn 'e opto-elektroanyske en mikro-elektroanyske yndustry.
