【 Gearfetting beskriuwing 】 Yn moderne C, N, B en oare non-oxide high-tech fjoervaste grûnstoffen, atmosfearyske druk sinteresilisiumkarbidis wiidweidich en ekonomysk, en kin sein wurde smoargens of fjoerwurk sân.Suversilisiumkarbidis kleurleas transparant kristal.Dus wat is de materiaal struktuer en skaaimerken fansilisiumkarbid?
Materiaal struktuer fan atmosfearyske druk sinteredsilisiumkarbid:
De atmosfearyske druk sinteresilisiumkarbidbrûkt yn yndustry is ljocht giel, grien, blau en swart neffens it type en ynhâld fan ûnreinheden, en de suverens is oars en de transparânsje is oars.De kristalstruktuer fan silisiumkarbid is ferdield yn seiswurd of diamantfoarmige plutoanium en kubike plutoanium-sic.Plutonium-sic foarmet in ferskaat oan ferfoarming fanwege de ferskillende stapeling folchoarder fan koalstof en silisium atomen yn de kristal struktuer, en mear as 70 soarten fan deformation binne fûn.beta-SIC konvertearret nei alpha-SIC boppe 2100. De yndustriële proses fan silisium carbid wurdt ferfine mei hege-kwaliteit kwarts sân en petroleum coke yn in ferset oven.Raffinearre silisiumkarbidblokken wurde gemalen, skjinmeitsjen fan soere basis, magnetyske skieding, screening as wetterseleksje om in ferskaat oan produkten foar partikelgrutte te produsearjen.
Materiaal skaaimerken fan atmosfearyske druksintere silisiumkarbid:
Silisiumkarbid hat goede gemyske stabiliteit, termyske konduktiviteit, termyske útwreidingskoëffisjint, slijtbestriding, dus neist abrasive gebrûk binne d'r in protte gebrûk: Bygelyks, it silisiumkarbidpoeder wurdt op 'e binnenmuorre fan' e turbinewaaier of silinderblok bedekt mei in spesjale proses, dat kin ferbetterje de wear ferset en ferlingje it libben fan 1 oant 2 kear.Makke fan waarmte-resistant, lyts grutte, licht gewicht, hege sterkte fan heechweardige fjoerwurk materialen, enerzjy effisjinsje is hiel goed.Low-grade silisiumkarbid (ynklusyf sa'n 85% SiC) is in poerbêste deoxidizer foar it ferheegjen fan snelheid fan stielen en maklik kontrolearjen fan gemyske gearstalling om stielkwaliteit te ferbetterjen.Dêrnjonken wurdt atmosfearyske druk sintere silisiumkarbid ek in protte brûkt yn 'e fabrikaazje fan elektryske dielen fan silisiumkoalstofstaven.
Silisiumkarbid is heul hurd.Morse hurdens is 9,5, twadde allinnich nei de wrâld syn hurde diamant (10), is in semiconductor mei poerbêste termyske conductivity, kin wjerstean oksidaasje by hege temperatueren.Silisiumkarbid hat op syn minst 70 kristallijne soarten.Plutonium-silisiumkarbid is in mienskiplik isomeer dat foarmet by temperatueren boppe 2000 en hat in hexagonale kristallijne struktuer (lykas wurtzite).Sintered silisiumkarbid ûnder atmosfearyske druk
Applikaasje fansilisiumkarbidyn semiconductor yndustry
De keten fan silisiumkarbid semiconductor-yndustry omfettet benammen silisiumkarbid poeder mei hege suverens, ienkristalsubstraat, epitaksiaal blêd, krêftkomponinten, moduleferpakking en terminalapplikaasjes.
1. Single crystal substraat Single crystal substraat is in semiconductor stypjende materiaal, conductive materiaal en epitaxial groei substraat.Op it stuit omfetsje de groeimetoaden fan SiC single crystal fysike dampferfiermetoade (PVT-metoade), floeibere fazemetoade (LPE-metoade), en gemyske dampdeposysjemetoade op hege temperatuer (HTCVD-metoade).Sintered silisiumkarbid ûnder atmosfearyske druk
2. Epitaxial sheet Silicon carbide epitaxial sheet, silisium carbid sheet, single crystal film (epitaxial laach) mei deselde rjochting as it substraat kristal dat hat bepaalde easken foar it silisium carbid substraat.Yn praktyske tapassingen binne breed band gap semiconductor apparaten hast allegear produsearre yn de epitaxial laach, en de silisium chip sels wurdt allinnich brûkt as it substraat, ynklusyf it substraat fan GaN epitaxial laach.
3. High-purity silisium carbid poeder High-purity silisium carbid poeder is it grûnstof foar it groei fan silisium carbid single crystal troch PVT metoade, en de suverens fan it produkt direkt beynfloedet de groei kwaliteit en elektryske skaaimerken fan silisium carbid single crystal.
4. It krêftapparaat is in breedbânkrêft makke fan silisiumkarbidmateriaal, dat de skaaimerken hat fan hege temperatuer, hege frekwinsje en hege effisjinsje.Neffens de bestjoeringsfoarm fan it apparaat omfettet it SiC Netzteil foaral in macht diode en in macht switch buis.
5. Terminal Yn tredde-generaasje semiconductor applikaasjes, silisiumkarbid semiconductors hawwe it foardiel fan in oanfolling op gallium nitride semiconductors.Troch de hege konverzje-effisjinsje, lege ferwaarmingskarakteristiken, lichtgewicht en oare foardielen fan SiC-apparaten, bliuwt de fraach fan 'e downstream-yndustry tanimme, en d'r is in trend om SiO2-apparaten te ferfangen.
Post tiid: okt-16-2023