As ien fan 'e kearnkomponinten fanMOCVD apparatuer, grafyt basis is de drager en ferwaarming lichem fan it substraat, dy't direkt bepaalt de uniformiteit en suverens fan it film materiaal, sadat syn kwaliteit direkt beynfloedet de tarieding fan de epitaxial sheet, en tagelyk, mei de tanimming fan it oantal brûkt en de feroaring fan arbeidsbetingsten, it is hiel maklik te dragen, dy't ta de verbruiksartikelen.
Hoewol grafyt hat poerbêste termyske konduktiviteit en stabiliteit, hat it in goed foardiel as basiskomponint fanMOCVD apparatuer, mar yn it produksjeproses sil grafyt it poeder korrodearje troch it oerbliuwsel fan korrosive gassen en metallyske organyske stoffen, en it libben fan 'e grafytbasis sil sterk fermindere wurde.Tagelyk sil it fallende grafytpoeder fersmoarging oan 'e chip feroarsaakje.
It ûntstean fan coating technology kin foarsjen oerflak poeder fixation, ferbetterjen termyske conductivity, en equalize waarmte ferdieling, dat is wurden de wichtichste technology te lossen dit probleem.Grafytbasis ynMOCVD apparatuergebrûk miljeu, grafyt basis oerflak coating moat foldwaan oan de folgjende skaaimerken:
(1) De grafytbasis kin folslein ynpakt wurde, en de tichtens is goed, oars is de grafytbasis maklik te korrodearjen yn it korrosive gas.
(2) De kombinaasjesterkte mei de grafytbasis is heech om te soargjen dat de coating net maklik is om te fallen nei ferskate hege temperatuer- en lege temperatuersyklusen.
(3) It hat goede gemyske stabiliteit te kommen coating falen yn hege temperatuer en corrosive sfear.
SiC hat de foardielen fan corrosie ferset, hege termyske conductivity, termyske shock ferset en hege gemyske stabiliteit, en kin wurkje goed yn GaN epitaxial sfear.Dêrnjonken ferskilt de termyske útwreidingskoëffisjint fan SiC heul lyts fan dy fan grafyt, sadat SiC it foarkommende materiaal is foar it oerflakcoating fan grafytbasis.
Op it stuit is de mienskiplike SiC benammen 3C, 4H en 6H-type, en it SiC-gebrûk fan ferskate kristaltypen binne oars.Bygelyks, 4H-SiC kin produsearje hege-power apparaten;6H-SiC is de meast stabile en kin produsearje fotoelektryske apparaten;Fanwegen syn ferlykbere struktuer as GaN, kin 3C-SiC wurde brûkt om GaN epitaksiale laach te produsearjen en SiC-GaN RF-apparaten te meitsjen.3C-SiC wurdt ek algemien bekend asβ-SiC, en in wichtich gebrûk fanβ-SiC is as film en coating materiaal, dusβ-SiC is op it stuit it wichtichste materiaal foar coating.
Post tiid: Nov-06-2023