Silisiumkarbid waferwurdt makke fan hege suverens silisium poeder en hege suverens koalstof poeder as grûnstoffen, en silisium carbid kristal wurdt groeid troch fysike damp oerdracht metoade (PVT), en ferwurke ynsilisium carbid wafer.
① Synteze fan grûnstoffen.Silisiumpoeder mei hege suverens en koalstofpoeder mei hege suverens waarden mingd neffens in bepaalde ferhâlding, en silisiumkarbiddieltsjes waarden synthesisearre by hege temperatueren boppe 2.000 ℃.Nei ferpletterjen, skjinmeitsjen en oare prosessen wurde de grûnstoffen fan hege suverens silisiumkarbidpoeder dy't foldogge oan 'e easken fan kristalgroei wurde taret.
② Crystal groei.Mei help fan hege suverens SIC poeder as grûnstof, it kristal waard groeid troch fysike damp oerdracht (PVT) metoade mei help fan sels-ûntwikkele crystal groei oven.
③ ingot ferwurkjen.De verkregen silisiumkarbidkristalblok waard oriïntearre troch röntgen-ienkristaloriïntator, dan grûn en rôle, en ferwurke yn silisiumkarbidkristal mei standert diameter.
④ Kristal snijden.Mei help fan multi-line cutting apparatuer, silisium carbid kristallen snije yn tinne lekkens mei in dikte fan net mear as 1 mm.
⑤ Chipslijpen.De wafel wurdt gemalen oant de winske platheid en rûchheid troch diamant slypende floeistoffen fan ferskillende dieltsje grutte.
⑥ Chippolijst.De gepolijst silisium carbid sûnder oerflak skea waard krigen troch meganyske polishing en gemysk meganyske polishing.
⑦ Chipdeteksje.Brûk optyske mikroskoop, röntgendiffraktometer, atoomkrêftmikroskoop, net-kontaktresistiviteitstester, oerflakflatheidstester, oerflakdefekt wiidweidige tester en oare ynstruminten en apparatuer om de mikrotubule-tichtens, kristalkwaliteit, oerflakruwheid, resistiviteit, warpage, kromming, dikte feroaring, oerflak scratch en oare parameters fan silisium carbid wafer.Hjirtroch wurdt it kwaliteitsnivo fan de chip bepaald.
⑧ Chipreiniging.It silisiumkarbidpoalblêd wurdt skjinmakke mei reinigingsmiddel en suver wetter om de oerbleaune poetsfloeistof en oare oerflaksmoargens op 'e polystblêd te ferwiderjen, en dan wurdt de wafel blaasd en droech troch ultra-hege suverens stikstof en droege masine;De wafel is ynkapsele yn in skjinne blêdkast yn in super-skjinne keamer om in streamôfwerts klear te brûken silisiumkarbidwafer te foarmjen.
Hoe grutter de chipgrutte, hoe dreger de korrespondearjende kristalgroei- en ferwurkingstechnology, en hoe heger de produksje-effisjinsje fan downstream-apparaten, hoe leger de ienheidskosten.
Post tiid: Nov-24-2023